近日，市发展改革委批复了关于拓荆创益高端半导体设备产业化基地建设项目《节能报告》审查意见。

建设规模及主要内容：

该项目总用地面积69969.84平方米，总建筑面积为112270.69平方米，地上建筑面积为103141.80平方米，地下建筑面积为9128.89平方米。新建9栋建筑，包括2栋厂房（1-1#建筑和10#建筑）、2栋库房（8#建筑和9#建筑）、1栋厂房及库房（4#建筑）、1栋宿舍及食堂（2#建筑）、2栋门卫（11#建筑和13#建筑）、1栋连廊（14#建筑）。停车位562个，地上427个，地下135个。

项目建成后达产年年产薄膜设备1094件，其中PECVD设备985件，沟槽填充薄膜工艺设备109件。

项目用能情况：该项目能源消耗种类为电力、天然气，耗能工质为新水（不计入总能耗）。

   项目年能源消费量合计当量值4965.28吨标准煤，等价值12038.45吨标准煤。其中：电力消耗量为3960.34万千瓦时，折合当量值4867.26吨标准煤、等价值11940.43吨标准煤；天然气消耗量为7.37万立方米，折合98.02吨标准煤；新水消耗量为17.21万吨（不计入能耗）。