近日，市发展改革委批复了关于拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目《节能报告》审查意见。

建设规模及主要内容：

该项目总用地面积27962.93平方米，总建筑面积为43734.90平方米，地上建筑面积为41056.55平方米，地下建筑面积为2678.35平方米。新建6栋建筑，包括4栋厂房（1-2#建筑、3#建筑、5#建筑、6#建筑）、1栋库房（7#建筑）、1栋门卫（12#建筑）。停车位163个，均为地上车位。

主要研发测试薄膜沉积设备的覆膜性能，并收集试验数据。

项目用能情况：该项目能源消耗种类为电力、天然气，耗能工质为新水（不计入总能耗）。

项目年能源消费量合计当量值6689.62吨标准煤，等价值15635.05吨标准煤。其中：电力消耗量为5008.64万千瓦时，折合当量值6155.62吨标准煤、等价值15101.05吨标准煤；天然气消耗量为40.15万立方米，折合534.00吨标准煤；新水消耗量为87.12万吨（不计入能耗）。